制膜用材料、IV族金属氧化物膜的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510363768.X
IPC分类号：C07F7/28;C07F7/00;C03C17/23;H01L21/316
申请日期：
2012-09-03
申请人：
东曹株式会社;公益财团法人相模中央化学研究所

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著录项信息

专利名称	制膜用材料、IV族金属氧化物膜的制造方法
申请号	CN201510363768.X	申请日期	2012-09-03
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2015-10-28	公开/公告号	CN105001254A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C07F7/28 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C07 有机化学〔2〕 C07F 含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物（含金属的卟啉入C07D 487/22；高分子化合物入C08） C07F7/00 含周期表第4或14族元素的化合物 C07F7/28 钛化合物	IPC分类号	C;0;7;F;7;/;2;8;;;C;0;7;F;7;/;0;0;;;C;0;3;C;1;7;/;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;6查看分类表>
申请人	东曹株式会社;公益财团法人相模中央化学研究所	申请人地址	日本山口县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东曹株式会社,公益财团法人相模中央化学研究所	当前权利人	东曹株式会社,公益财团法人相模中央化学研究所
发明人	木下智之;岩永宏平;浅野祥生;川畑贵裕;大岛宪昭;平井聪里;原田美德;新井一喜;多田贤一
代理机构	北京林达刘知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘新宇;李茂家

摘要

本发明涉及制膜用材料、IV族金属氧化物膜的制造方法。本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用材料，使用通过将具有钛原子或锆原子且各所述金属原子利用桥氧原子进行桥联的化合物溶解于分子内含2个以上氧原子的醇，然后进行加热而得到的制膜用材料。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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