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半导体器件和用于制造BOAC/COA的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810094759.5
  • IPC分类号:H01L23/485H01L21/60
  • 申请日期:
    2008-05-16
  • 申请人:
    东部高科股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件和用于制造BOAC/COA的方法
申请号CN200810094759.5申请日期2008-05-16
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-11-19公开/公告号CN101308829
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/485IPC分类号H01L23/485;H01L21/60查看分类表>
申请人东部高科股份有限公司申请人地址
韩*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东部高科股份有限公司当前权利人东部高科股份有限公司
发明人金相喆
代理机构北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司代理人宋子良;李占平
摘要
本发明公开了一种半导体器件及制造BOAC/COA的方法。半导体器件的BOAC/COA通过以下步骤制造:在半导体器件之上形成导电焊盘;在包括导电焊盘的半导体器件之上形成钝化氧化膜;在导电焊盘和钝化氧化膜的整个表面上形成氧化膜;在导电焊盘上形成限定结合焊盘区的氧化膜图案;在氧化膜图案、钝化氧化膜和导电焊盘之上依次地形成屏蔽膜和金属种子层;在金属种子层之上形成金属层;整平金属层,从而使氧化膜图案以及屏蔽膜和金属种子层的一部分露出;以及通过蚀刻工艺去除氧化膜图案。

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