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一种双向低压静电浪涌全芯片保护集成电路

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011536850.5
  • IPC分类号:H01L27/02
  • 申请日期:
    2020-12-23
  • 申请人:
    钳芯半导体科技(无锡)有限公司
著录项信息
专利名称一种双向低压静电浪涌全芯片保护集成电路
申请号CN202011536850.5申请日期2020-12-23
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-04-16公开/公告号CN112670281A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/02IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;2查看分类表>
申请人钳芯半导体科技(无锡)有限公司申请人地址
江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座C栋1913室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人钳芯半导体科技(无锡)有限公司当前权利人钳芯半导体科技(无锡)有限公司
发明人梁海莲;马琴玲;顾晓峰
代理机构无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)代理人朱晓林
摘要
本发明涉及集成电路的静电放电及浪涌防护领域,公开了一种双向低压静电浪涌全芯片保护集成电路,包括P型衬底,P型衬底的上表面设有N型隔离区,N型隔离区的上表面从左往右依次设有第一N阱、第一P阱和第二N阱,第一N阱的左侧面与第一P阱的右侧面连接,第一P阱的右侧面与第二N阱的左侧面连接,通过在第一N阱、第一P阱和第二N阱上对称设置N+注入区或者P+注入区,形成对称设置的二极管和三极管,在实际使用时,通过这些二极管和三极管可以使本发明的电流泄放路径均呈双向全对称特性,提高了本发明的鲁棒性。

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