一种具有二级缓存结构的存储系统及读写方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510214742.9
IPC分类号：G06F12/0811
申请日期：
2015-04-29
申请人：
上海磁宇信息科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种具有二级缓存结构的存储系统及读写方法
申请号	CN201510214742.9	申请日期	2015-04-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-06-01	公开/公告号	CN105630700A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F12/0811 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G06 计算；推算；计数 G06F 电数字数据处理（基于特定计算模型的计算机系统入G06N） G06F11/00 错误检测；错误校正；监控（在基于记录载体和传感器之间的相对运动而实现的信息存储中的错误检测、校正或监控所用的方法或装置入 G11B 20/18；监控，即，监控记录或重现的进程入G11B 27/36；静态存储中所用的方法或装置入G11C29/00）〔1，4，2006.01〕 G06F11/22 在准备运算或者在空闲时间期间内，通过测试作故障硬件的检测或定位〔3，2006.01〕 G06F11/26 功能检验〔3〕 G06F11/273 检验器硬设备，即输出处理电路〔6〕 G06F12/0804 带有主存储器更新的（G06F 12/0806优先）〔2016.01〕 G06F12/0811 有高速缓存等级〔2016.01〕	IPC分类号	G;0;6;F;1;2;/;0;8;1;1查看分类表>
申请人	上海磁宇信息科技有限公司	申请人地址	上海市嘉定区城北路235号二号楼二层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海磁宇信息科技有限公司	当前权利人	上海磁宇信息科技有限公司
发明人	戴瑾
代理机构	上海容慧专利代理事务所（普通合伙）	代理人	于晓菁

摘要

本发明提供一种具有二级缓存结构的存储系统，包括主机内存与固态硬盘，固态硬盘包括主控芯片、NAND芯片与MRAM，主机内存包括读缓存，MRAM包括写缓存。本发明还提供采用该具有二级缓存结构的存储系统的读写方法。本发明提供的二级缓存结构及采用该二级缓存结构的读写方法，首先读操作性能更好；其次使用MRAM作为写缓存，在保证数据在意外断电情况下安全的同时，也大大提高了数据写入的速度；使用主机内存中的读缓存，就可以使得有限的MRAM空间尽可能多地用作写缓存，使得成本最优，节省了昂贵的断电保护系统；使用MRAM作为写缓存还减少了NAND的写次数，起到了保护它并延长使用寿命的作用；这是一个费效比很好的方案。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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