一种沉积多晶硅表面颗粒质量改善方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010035880.1
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/67;H01L21/8238;H01L23/64;C30B28/14;C30B29/06;C23C16/24;C23C16/455
申请日期：
2020-01-14
申请人：
北京大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种沉积多晶硅表面颗粒质量改善方法
申请号	CN202010035880.1	申请日期	2020-01-14
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-02	公开/公告号	CN111223761A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;8;;;H;0;1;L;2;3;/;6;4;;;C;3;0;B;2;8;/;1;4;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;2;3;C;1;6;/;2;4;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;5查看分类表>
申请人	北京大学	申请人地址	北京市海淀区颐和园路5号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京大学	当前权利人	北京大学
发明人	黄建晟;唐胜;王振宇
代理机构	北京盛凡智荣知识产权代理有限公司	代理人	刘晓晖

摘要

本发明公开了一种沉积多晶硅表面颗粒质量改善方法，具体包括如下步骤：(1)选用炉管加热装置；(2)通入净化气体N2；(3)多晶硅沉积。本发明属于半导体制造技术领域，具体是提供了一种通过变更输入气体管道及载气N2流量，改善多晶硅沉积薄膜品质，并通过此方法解决沉积多晶硅产生表面颗粒及薄膜厚度不均匀的问题的沉积多晶硅表面颗粒质量改善方法；改善后并且优化的菜单在沉积多晶硅时能够实现产生较少的表面颗粒及高均匀度的膜厚，进而使产品质量的得到提升，以解决沉积多晶硅后所产生的表面颗粒及薄膜厚度不均匀的问题。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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