加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种MPCVD法制备石墨烯包覆Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>粉体的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810202763.2
  • IPC分类号:C01G51/04;C01B32/186;H01G11/24;H01G11/30;H01G11/36;H01G11/46
  • 申请日期:
    2018-03-13
  • 申请人:
    昆明理工大学
著录项信息
专利名称一种MPCVD法制备石墨烯包覆Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>粉体的方法
申请号CN201810202763.2申请日期2018-03-13
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-08-17公开/公告号CN108408791A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01G51/04IPC分类号C;0;1;G;5;1;/;0;4;;;C;0;1;B;3;2;/;1;8;6;;;H;0;1;G;1;1;/;2;4;;;H;0;1;G;1;1;/;3;0;;;H;0;1;G;1;1;/;3;6;;;H;0;1;G;1;1;/;4;6查看分类表>
申请人昆明理工大学申请人地址
云南省昆明市五华区学府路253号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人昆明理工大学当前权利人昆明理工大学
发明人杨黎;段钰;郭胜惠;冯双龙;彭金辉;侯明;王梁;刘花
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明涉及一种MPCVD法制备石墨烯包覆Co3O4粉体的方法,属于微波等离子与复合材料技术领域。将Co3O4基底粉体平铺,抽真空至压强1mTorr以内,然后Ar、H2、CH4按照气体流量比为9:10:1~5通入,保持压强为1~90Torr,开启微波等离子体,在温度为300~500℃下沉积反应30~120min,反应结束后,切断CH4气体,保持通入非氧化气体冷却至室温后关闭非氧化气体,抽真空至压强为1mTorr,通入空气至常压得到石墨烯包覆Co3O4粉体。本发明制备过程中采用Co3O4粉体为镀覆基体,制备得到的石墨烯包覆Co3O4粉体,与常规石墨烯包覆复合粉体材料相比,本发明的石墨烯包覆Co3O4粉体中石墨烯为少层鳞片状石墨烯,包覆均匀性好。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供