一种可减少断棱的单晶炉

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201921452845.9
IPC分类号：C30B15/00;C30B29/06
申请日期：
2019-09-03
申请人：
包头美科硅能源有限公司

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著录项信息

专利名称	一种可减少断棱的单晶炉
申请号	CN201921452845.9	申请日期	2019-09-03
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	包头美科硅能源有限公司	申请人地址	内蒙古自治区包头市昆都仑区金属深加工园区拓业路1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	包头美科硅能源有限公司	当前权利人	包头美科硅能源有限公司
发明人	孟涛;王海庆;姚亮
代理机构	南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	任立

摘要

本实用新型公开了一种可减少断棱的单晶炉，涉及单晶炉技术领域，由上往下依次包括上炉筒、副室、炉盖、主炉室和下炉室，所述主炉室内设置有导流筒，所述炉盖上设置有用于将氩气通入主炉室内的氩气管道，所述氩气管道上开设有出气孔且所述出气孔位于导流筒内侧。本实用新型改变了氩气管道的设置位置，将氩气管道设置在主炉室内，不仅避免氩气将副室内的碳颗粒、硅粉等其它杂质带入熔硅中造成断棱，而且避免了氩气在炉内不同构造中形成气旋而影响温度，有利于拉晶，减少了拉晶过程中的异常比例，减少了断线率。

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