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绿色晶体管、电阻随机存储器及其驱动方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310277106.1
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06;G11C13/00
  • 申请日期:
    2009-09-11
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称绿色晶体管、电阻随机存储器及其驱动方法
申请号CN201310277106.1申请日期2009-09-11
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-10-23公开/公告号CN103367452A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;G;1;1;C;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人季明华;肖德元
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人骆苏华
摘要
本发明提供了绿色晶体管、电阻随机存储器及其驱动方法,其中所提供的一种绿色晶体管包括:半导体衬底,形成于衬底内的第一源极、第二源极、漏极以及形成于衬底表面的栅极;所述漏极形成于栅极底部的衬底内;所述第一源极与第二源极形成于栅极两侧的衬底内,且关于漏极对称;在所述栅极的底部、第一源极内靠近漏极一侧形成有第一口袋注入区;在所述栅极的底部、第二源极内靠近漏极一侧形成有第二口袋注入区;所述第一口袋注入区以及第二口袋注入区的导电类型与漏极相同,且与第一源极以及第二源极相反。并将所述绿色晶体管应用于电阻随机存储器,作为存储单元的选通管,提供较大的读、写操作电流,具有较强的驱动能力,降低功耗。

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