一种利用缺陷和杂质改进单晶金刚石晶种外延生长的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010662250.7
IPC分类号：--
申请日期：
2020-07-10
申请人：
物生生物科技（北京）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种利用缺陷和杂质改进单晶金刚石晶种外延生长的方法
申请号	CN202010662250.7	申请日期	2020-07-10
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-16	公开/公告号	CN111778556A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	物生生物科技（北京）有限公司	申请人地址	北京市顺义区仁和镇林河北大街21号院1幢5层2单元606 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	物生生物科技（北京）有限公司	当前权利人	物生生物科技（北京）有限公司
发明人	赵效铭
代理机构	北京科迪生专利代理有限责任公司	代理人	安丽

摘要

本发明公开了一种利用缺陷和杂质改进单晶金刚石晶种外延生长的方法，适用于微波等离子体化学气相沉积方法(CVD)外延生长单晶金刚石，包括步骤：步骤一、确定单晶金刚石表面的杂质和缺陷浓度。步骤二、进行杂质和缺陷处理。步骤三、进行表面氢化处理。步骤四、进行高速外延生长。本发明能够利用内部缺陷和杂质含量高的单晶金刚石的品质缺点，提高外延金刚石的生长速率，改进产品质量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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