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半导体装置的制造方法和半导体装置的制造装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011188068.9
  • IPC分类号:H01L33/62;H01L25/075
  • 申请日期:
    2020-10-30
  • 申请人:
    株式会社铃木
著录项信息
专利名称半导体装置的制造方法和半导体装置的制造装置
申请号CN202011188068.9申请日期2020-10-30
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-06-25公开/公告号CN113036026A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/62IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;5查看分类表>
申请人株式会社铃木申请人地址
日本长野县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社铃木当前权利人株式会社铃木
发明人立岩刚;平木和雄
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人徐丹;邓毅
摘要
半导体装置的制造方法和半导体装置的制造装置。提供如下的半导体装置的制造装置:使经由具有导电粒子和热固性粘接剂的各向异性导电胶将多个半导体芯片搭载于基板而成的工件成为可通电状态且可返工状态,由此,能够飞跃性地提高产量。半导体装置的制造装置(1)构成为具有对工件(90)进行加热处理的第1回流炉(3)以及控制部(2),第1回流炉构成为,从入口侧一直到加热区(3b)设置有第1输送机(31),接着,从冷却区(3c)一直到出口侧设置有第2输送机(32),控制部针对第1输送机和第2输送机进行如下控制:将工件搬运到加热区而使焊料熔融,接着,将工件搬运到冷却区而使焊料固化,使工件成为可通电且可返工的状态。

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