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一种坩埚和碳化硅生长装置

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN202023256463.4
  • IPC分类号:C30B29/36;C30B23/00
  • 申请日期:
    2020-12-29
  • 申请人:
    湖南三安半导体有限责任公司
著录项信息
专利名称一种坩埚和碳化硅生长装置
申请号CN202023256463.4申请日期2020-12-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C30B29/36IPC分类号C;3;0;B;2;9;/;3;6;;;C;3;0;B;2;3;/;0;0查看分类表>
申请人湖南三安半导体有限责任公司申请人地址
湖南省长沙市高新开发区长沙岳麓西大道2450号环创园B1栋2405房 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人湖南三安半导体有限责任公司当前权利人湖南三安半导体有限责任公司
发明人汪良;张洁;王旻峰
代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)代理人冯洁
摘要
本实用新型涉及碳化硅晶体生长技术领域,具体而言,涉及一种坩埚和碳化硅生长装置。该坩埚包括料筒、盖体及导流板;其中,料筒具备容腔以及与容腔连通的开口;盖体与料筒连接,盖体用于封闭开口;导流板容置于容腔内,导流板将容腔分隔为容纳腔室以及沉积腔室,物料容纳于容纳腔室内;导流板开设有多个导流通道,导流通道连通容纳腔室及沉积腔室;导流板用于使得容纳腔室内的气流在经多个导流通道进入沉积腔室后,在沉积腔室内形成旋转气流。由此,当位于容腔中的物料为碳化硅原料及掺杂物质时,在料筒被加热后,碳化硅原料及掺杂物质开始升华成气态,该坩埚保证了碳化硅晶体掺杂的均匀性,进而保证了单片内电阻率的均匀性。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供