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直接带隙发光的硅基材料及制备方法、芯片上发光器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810203008.6
  • IPC分类号:H01L33/00;H01L33/34
  • 申请日期:
    2018-03-12
  • 申请人:
    中国科学院半导体研究所
著录项信息
专利名称直接带隙发光的硅基材料及制备方法、芯片上发光器件
申请号CN201810203008.6申请日期2018-03-12
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-08-28公开/公告号CN108461584A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;3;3;/;3;4查看分类表>
申请人中国科学院半导体研究所申请人地址
北京市海淀区清华东路甲35号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院半导体研究所当前权利人中国科学院半导体研究所
发明人骆军委;袁林丁;李树深
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人任岩
摘要
本发明提供了一种实现兼容CMOS工艺的直接带隙发光的硅基材料及其制备方法,该方法包括步骤:准备硅基材料,所述硅基材料为锗材料或者硅锗合金;在所述硅基材料的部分晶格间隙位置填入惰性气体原子和/或原子序数小的原子达到晶格体积膨胀,以实现其能带结构由间接带隙向直接带隙转变,得到直接带隙发光的硅基材料。此外,本发明还提供了一种发光硅基器件。本发明的制备方法兼容CMOS集成电路工艺,实现锗及硅锗合金材料的直接带隙发光,其发光效率比肩InP和GaAs等III‑V族直接带隙材料,为实现硅基或锗基光电子集成技术所需的片上光源提供了一种全新的解决方案。

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