具有多个存储体的半导体存储装置

发明专利有效专利

申请号：
CN200410032553.1
IPC分类号：G11C8/00;G06F13/28
申请日期：
2001-11-30
申请人：
富士通株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有多个存储体的半导体存储装置
申请号	CN200410032553.1	申请日期	2001-11-30
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2004-09-22	公开/公告号	CN1530961
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C8/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C8/00 数字存储器中用于地址选择的装置（用于使用半导体器件的存储器的辅助电路入G11C 11/4063，G11C 11/413，G11C 11/4193）〔2，5〕	IPC分类号	G;1;1;C;8;/;0;0;;;G;0;6;F;1;3;/;2;8查看分类表>
申请人	富士通株式会社	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日本东京,株式会社索思未来	当前权利人	日本东京,株式会社索思未来
发明人	内田敏也;山口秀策
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	党建华

摘要

本发明公开了一种具有多个存储体的半导体存储装置，所述装置包括：具有用于使所述多个存储体相互连接的n位宽度的总线；第一数据传递装置，用于通过利用所述n位宽度总线的一部分在第一数据传递装置和预定的存储体之间传递数据；以及第二数据传递装置，用于通过利用未被第一存储体使用的所有位或其中的一部分位在第二数据传递装置和另一个存储体之间传递数据。这使得即使在脉冲串长度被设置为小于最大脉冲串长度的值的情况下，也能实现稳定的操作。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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