一种高隔离度超宽带微波单片开关芯片及其设计方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911079172.1
IPC分类号：G06F30/392;H01L27/02;H01P1/15
申请日期：
2019-11-07
申请人：
安徽大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种高隔离度超宽带微波单片开关芯片及其设计方法
申请号	CN201911079172.1	申请日期	2019-11-07
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-02-04	公开/公告号	CN110750955A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F30/392	IPC分类号	G;0;6;F;3;0;/;3;9;2;;;H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;1;P;1;/;1;5查看分类表>
申请人	安徽大学	申请人地址	安徽省合肥市经济技术开发区九龙路111号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	安徽大学	当前权利人	安徽大学
发明人	朱浩然;宁欣宇
代理机构	合肥国和专利代理事务所（普通合伙）	代理人	张祥骞

摘要

本发明涉及一种高隔离度超宽带微波单片开关芯片及其设计方法。微波单片开关芯片包括输入端PAD和两个传输臂。传输臂包括第一GaAsFET管组、微带线和输出端PAD。微带线上分别并联有第二GaAsFET管组、第三GaAsFET管组和第四GaAsFET管组。微带线，在其与第三GaAsFET管组的连接点上并联有第一组MIM电容，在其与第四GaAsFET管组的连接点上并联有第二组MIM电容，在其末端并联有第三组MIM电容。第二GaAsFET管组和第三GaAsFET管组之间的微带线、第三GaAsFET管组和第四GaAsFET管组之间的微带线以及第四GaAsFET管组与输出端PAD之间的微带线的长度均小于四分之一波长。本发明能够解决现有技术中存在的提高隔离度和改善输出驻波比必须依赖增加多级并联GaAsFET管和四分之一波长传输线的难题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供