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专利名称 | 延迟优化的复用组合器 |
申请号 | CN99106480.1 | 申请日期 | 1999-05-13 |
法律状态 | 权利终止 | 申报国家 | 中国 |
公开/公告日 | 1999-11-17 | 公开/公告号 | CN1235420 |
优先权 | 暂无 | 优先权号 | 暂无 |
主分类号 | 暂无 | IPC分类号 | 暂无查看分类表>
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申请人 | 西门子公司 | 申请人地址 | 德国瑙伊比贝***
变更
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权利人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 当前权利人 | 英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 | P·海涅;T·格雷茨;B·约翰逊;D·黑尔勒 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;王忠忠 |
摘要
本发明涉及一种由至少两个调整部件(1,2)组成的延迟优化的复用组合器,这些调整部件是可各自经过一个第一支路由一个控制信号(2)直接控制的和经过一个第二支路由通过逆变器(3)逆变的控制信号(C1)控制的。在第一支路中附加地安排了另一个调整部件(8)该调整部件复制由逆变器(3)所决定的延迟,以至于各调整元件(1,2)是可时间相同的转换。
1.由至少两个调整部件(1,2)组成的延迟优化的复用组合器, 这些调整部件是可各自经过一个第一支路由一个控制信号(C2)直接 控制的和经过一个第二支路由通过逆变器(3)翻转的控制信号(C1) 控制的,其特征在于,在第一支路中安排了一个附加的调整部件(8) 该调整件复制由逆变器(3)所决定的延迟。
2.按权利要求1的延迟优化的复用组合器,其特征在于,在至少 两个调节元件(1,2)中的每个上施加一分离的输入信号(IN1,IN2)。
3.按权利要求1的延迟优化的复用组合器,其特征在于,至少两 个调整部件(1,2)中的一个施加了一个输入信号,而至少两个调整部 件(2,1)中的另一个施加了逆变了一输入信号。
4.按权利要求1至3之一的延迟优化的复用组合器,其征在于, 各调整部件(1,2,8)是由互相之间并联的一个N沟道MOS晶体管(4, 6,9)和一个P沟道MOS晶体管(5,7,10)组成的。
本发明涉及一种由至少两个调整部件组成的延迟优化的复用组合 器,这些调整部件是可各自经过一个第一支路由一个控制信号直接控 制的和经过一个第二支路由通过递变器逆变的控制信号控制的。
复用组合器以及甚至复用分解器通常用各三态逆变器或各调整部 件或各与非门来实现。在此三态逆变器是具有三个状态的即“1”、“0” 和“高阻抗”的逆变器。
图3展示一种带有各调整部件或各转输元件1、2和一种逆变器 3的现有的复用分解器实例。调整部件1由一个N沟道MOS(金属氧化 物半导体)晶体管4和一个P沟道MOS晶体管5组成。调整部件2同 样地由一个N沟道MOS晶体管6和一个P沟道MOS晶体管7组成。各 晶体管4和5像各晶体管6和7那样同样地位于各自互相平行位置。 第一输入信号IN1是经各晶体管4、5的源极一漏极 线路传输的,而第二输入信号IN2是经各晶体管6、7的源极漏极线 路传输的。两个调节元件1、2的输出端是与一个共同的输出节点OUT 连接的。各晶体管5、6的各栅极是由一个相当于控制信号,CTRL的 控制信号C2控制的。此外各晶体管4、7的各栅极是经过逆变器3从 控制信号CTRL中所获得的控制信号C1控制的。就是就这些控制信号 C1和C2互相向是倒置的。
如果在图3中所展示的复用分解器上控制信号C1是在“0”上的 话,则晶体管4是闭合的,而晶体管7是开路的。在此情况下控制信 号C2是在“1”上,这意味着晶体管5是闭合的,而晶体管6是开路 的。换句话说,在具有“1”的控制信号CTRL时,调整部件2导通, 而调整部件1阻断。
在图3的电路装置上插入逆变器3于是导致信号C1与信号C2相 比是稍滞后的,因为它必须通过逆变器3。换言之在图1的电路装置 上各自不同快速地控制这些调整部件1、2,这在复用组合器或复用 分解器的各时间紧要的应用上是不利的,因为由于时间上不同的控制 以相同的延迟向输出端OUT提供各输入信号IN1和IN2。
因此本发明的任务在于,建立一种延迟优化的复用组合器或复用 分解器,该复用组合器或复用分解器在各时间紧要的应用上也能够提 供一个时间同步的输出信号。
在一个开始时所述种类的延迟优化的复合组合器上按本发明此任 务由此来解决,即在第一支路中安排了一个附加的调整部件,此调整 部件复制由逆变器所决定的延迟。
按本发明的延迟优化的复用组合器(或复用分解器)因此采用在控 制信号的支路中的一个附加的优化调整部件,在该支路中是未安排逆 变器的。通过此附加的调整部件复制由逆变器强制引入的时间延迟, 使得各当时的各控制信号时间相同地到达各调整部件上。
这也展示了当经一个过程窗口观察这些调整部件时,各调整部件 通常作为“开关”比作为三态逆变器更适合。三态逆变器是有源的或 放大的开关,在这些开着各过程波动对开关速度的影响比对各“无源 的”调整部件的影响强很多。因此在弱的P沟道FET(场效应晶体管) 上,输出脉冲的上升沿是缓慢的,而在N沟道FET上这是输出脉冲的 下降沿。亦即由晶片获得的各调整部件的变化比在制作各三态逆变器 时由过程决定的各波动小。
甚至在各当时的调整部件用的各单个控制信号不准确地在同一时 刻接通时,接通时的各调整部件的惯性决定了相对于控制信号的均匀 延迟的输出信号的生成。
以下用各附图详细地解释本发明。所展示的:
图1和图2分别为按本发明的复用组合器的两个实施例的电路图 知
图3为一个现有的复用组合器的电路图。
图1和图2中对于彼此相当的部件采用如图3中的相同的各标志 符号。
图1展示在控制信号C2的支路中的附加调整部件8。如调整部 件1和2那样此附加调整部件8由一个N沟道MOS晶体管9和一个P 沟道MOS晶体管10组成。这些晶体管9和10的各栅极是以供电电压 VDD或VSS输入电压的,这些晶体管9和10象晶体管4和5或6和7 那样位于互相平行的位置。
调整部件8是这样设计的或“优化的”,使得它的眨迟与逆变器 3的延迟相当。由此而实现由控制信号CTRL获得的各信号C1和C2 同时作用在晶体管4至7上,使得在各时间紧要的应用上也保证了在 输出端OUT上获得具有各自同一延迟的输出信号。
图2展示一个在其上只施加一个输入信号IN1的实施例,该输入 信号被直接行向调整部件1和经过另一个逆变器11引向调整部件2。
例如在一个动态控制信号CTRL上更确切地说在各静态输入信号 IN1,IN2上产生按本发明的复用组合器的一个有利的应用,以便例 如实现一个具有直至输出端OUT的控制信号CTRL的恒定延迟的异或 门部件。
法律信息
- 2018-06-08
未缴年费专利权终止
IPC(主分类): H03K 17/693
专利号: ZL 99106480.1
申请日: 1999.05.13
授权公告日: 2004.03.24
- 2016-01-20
专利权的转移
登记生效日: 2015.12.28
专利权人由奇梦达股份公司变更为英飞凌科技股份有限公司
地址由德国慕尼黑变更为德国瑙伊比贝尔格市
- 2013-03-20
专利权的转移
登记生效日: 2013.02.20
专利权人由西门子公司变更为英飞凌科技股份有限公司
地址由德国慕尼黑变更为德国新比贝格
- 2013-03-20
专利权的转移
登记生效日: 2013.02.20
专利权人由英飞凌科技股份有限公司变更为奇梦达股份公司
地址由德国新比贝格变更为德国慕尼黑
- 2004-03-24
- 2001-03-14
- 1999-11-17
引用专利(该专利引用了哪些专利)
序号 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日 | 申请日 | 专利名称 | 申请人 | 该专利没有引用任何外部专利数据! |
被引用专利(该专利被哪些专利引用)
序号 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日 | 申请日 | 专利名称 | 申请人 | 该专利没有被任何外部专利所引用! |