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专利名称 | 延迟优化的复用组合器 |
申请号 | CN99106480.1 | 申请日期 | 1999-05-13 |
法律状态 | 权利终止 | 申报国家 | 中国 |
公开/公告日 | 1999-11-17 | 公开/公告号 | CN1235420 |
优先权 | 暂无 | 优先权号 | 暂无 |
主分类号 | 暂无 | IPC分类号 | 暂无查看分类表>
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申请人 | 西门子公司 | 申请人地址 | 德国瑙伊比贝尔格市
变更
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权利人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 当前权利人 | 英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 | P·海涅;T·格雷茨;B·约翰逊;D·黑尔勒 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;王忠忠 |
摘要
本发明涉及一种由至少两个调整部件(1,2)组成的延迟优化的复用组合器,这些调整部件是可各自经过一个第一支路由一个控制信号(2)直接控制的和经过一个第二支路由通过逆变器(3)逆变的控制信号(C1)控制的。在第一支路中附加地安排了另一个调整部件(8)该调整部件复制由逆变器(3)所决定的延迟,以至于各调整元件(1,2)是可时间相同的转换。
1.由至少两个调整部件(1,2)组成的延迟优化的复用组合器, 这些调整部件是可各自经过一个第一支路由一个控制信号(C2)直接 控制的和经过一个第二支路由通过逆变器(3)翻转的控制信号(C1) 控制的,其特征在于,在第一支路中安排了一个附加的调整部件(8) 该调整件复制由逆变器(3)所决定的延迟。
2.按权利要求1的延迟优化的复用组合器,其特征在于,在至少 两个调节元件(1,2)中的每个上施加一分离的输入信号(IN1,IN2)。
3.按权利要求1的延迟优化的复用组合器,其特征在于,至少两 个调整部件(1,2)中的一个施加了一个输入信号,而至少两个调整部 件(2,1)中的另一个施加了逆变了一输入信号。
4.按权利要求1至3之一的延迟优化的复用组合器,其征在于, 各调整部件(1,2,8)是由互相之间并联的一个N沟道MOS晶体管(4, 6,9)和一个P沟道MOS晶体管(5,7,10)组成的。
本发明涉及一种由至少两个调整部件组成的延迟优化的复用组合 器,这些调整部件是可各自经过一个第一支路由一个控制信号直接控 制的和经过一个第二支路由通过递变器逆变的控制信号控制的。\n复用组合器以及甚至复用分解器通常用各三态逆变器或各调整部 件或各与非门来实现。在此三态逆变器是具有三个状态的即“1”、“0” 和“高阻抗”的逆变器。\n图3展示一种带有各调整部件或各转输元件1、2和一种逆变器 3的现有的复用分解器实例。调整部件1由一个N沟道MOS(金属氧化 物半导体)晶体管4和一个P沟道MOS晶体管5组成。调整部件2同 样地由一个N沟道MOS晶体管6和一个P沟道MOS晶体管7组成。各 晶体管4和5像各晶体管6和7那样同样地位于各自互相平行位置。 第一输入信号IN1是经各晶体管4、5的源极一漏极 线路传输的,而第二输入信号IN2是经各晶体管6、7的源极漏极线 路传输的。两个调节元件1、2的输出端是与一个共同的输出节点OUT 连接的。各晶体管5、6的各栅极是由一个相当于控制信号,CTRL的 控制信号C2控制的。此外各晶体管4、7的各栅极是经过逆变器3从 控制信号CTRL中所获得的控制信号C1控制的。就是就这些控制信号 C1和C2互相向是倒置的。\n如果在图3中所展示的复用分解器上控制信号C1是在“0”上的 话,则晶体管4是闭合的,而晶体管7是开路的。在此情况下控制信 号C2是在“1”上,这意味着晶体管5是闭合的,而晶体管6是开路 的。换句话说,在具有“1”的控制信号CTRL时,调整部件2导通, 而调整部件1阻断。\n在图3的电路装置上插入逆变器3于是导致信号C1与信号C2相 比是稍滞后的,因为它必须通过逆变器3。换言之在图1的电路装置 上各自不同快速地控制这些调整部件1、2,这在复用组合器或复用 分解器的各时间紧要的应用上是不利的,因为由于时间上不同的控制 以相同的延迟向输出端OUT提供各输入信号IN1和IN2。\n因此本发明的任务在于,建立一种延迟优化的复用组合器或复用 分解器,该复用组合器或复用分解器在各时间紧要的应用上也能够提 供一个时间同步的输出信号。\n在一个开始时所述种类的延迟优化的复合组合器上按本发明此任 务由此来解决,即在第一支路中安排了一个附加的调整部件,此调整 部件复制由逆变器所决定的延迟。\n按本发明的延迟优化的复用组合器(或复用分解器)因此采用在控 制信号的支路中的一个附加的优化调整部件,在该支路中是未安排逆 变器的。通过此附加的调整部件复制由逆变器强制引入的时间延迟, 使得各当时的各控制信号时间相同地到达各调整部件上。\n这也展示了当经一个过程窗口观察这些调整部件时,各调整部件 通常作为“开关”比作为三态逆变器更适合。三态逆变器是有源的或 放大的开关,在这些开着各过程波动对开关速度的影响比对各“无源 的”调整部件的影响强很多。因此在弱的P沟道FET(场效应晶体管) 上,输出脉冲的上升沿是缓慢的,而在N沟道FET上这是输出脉冲的 下降沿。亦即由晶片获得的各调整部件的变化比在制作各三态逆变器 时由过程决定的各波动小。\n甚至在各当时的调整部件用的各单个控制信号不准确地在同一时 刻接通时,接通时的各调整部件的惯性决定了相对于控制信号的均匀 延迟的输出信号的生成。\n以下用各附图详细地解释本发明。所展示的:\n图1和图2分别为按本发明的复用组合器的两个实施例的电路图 知\n图3为一个现有的复用组合器的电路图。\n图1和图2中对于彼此相当的部件采用如图3中的相同的各标志 符号。\n图1展示在控制信号C2的支路中的附加调整部件8。如调整部 件1和2那样此附加调整部件8由一个N沟道MOS晶体管9和一个P 沟道MOS晶体管10组成。这些晶体管9和10的各栅极是以供电电压 VDD或VSS输入电压的,这些晶体管9和10象晶体管4和5或6和7 那样位于互相平行的位置。\n调整部件8是这样设计的或“优化的”,使得它的眨迟与逆变器 3的延迟相当。由此而实现由控制信号CTRL获得的各信号C1和C2 同时作用在晶体管4至7上,使得在各时间紧要的应用上也保证了在 输出端OUT上获得具有各自同一延迟的输出信号。\n图2展示一个在其上只施加一个输入信号IN1的实施例,该输入 信号被直接行向调整部件1和经过另一个逆变器11引向调整部件2。\n例如在一个动态控制信号CTRL上更确切地说在各静态输入信号 IN1,IN2上产生按本发明的复用组合器的一个有利的应用,以便例 如实现一个具有直至输出端OUT的控制信号CTRL的恒定延迟的异或 门部件。
法律信息
- 2018-06-08
未缴年费专利权终止
IPC(主分类): H03K 17/693
专利号: ZL 99106480.1
申请日: 1999.05.13
授权公告日: 2004.03.24
- 2016-01-20
专利权的转移
登记生效日: 2015.12.28
专利权人由奇梦达股份公司变更为英飞凌科技股份有限公司
地址由德国慕尼黑变更为德国瑙伊比贝尔格市
- 2013-03-20
专利权的转移
登记生效日: 2013.02.20
专利权人由西门子公司变更为英飞凌科技股份有限公司
地址由德国慕尼黑变更为德国新比贝格
- 2013-03-20
专利权的转移
登记生效日: 2013.02.20
专利权人由英飞凌科技股份有限公司变更为奇梦达股份公司
地址由德国新比贝格变更为德国慕尼黑
- 2004-03-24
- 2001-03-14
- 1999-11-17
引用专利(该专利引用了哪些专利)
序号 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日 | 申请日 | 专利名称 | 申请人 | 该专利没有引用任何外部专利数据! |
被引用专利(该专利被哪些专利引用)
序号 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日 | 申请日 | 专利名称 | 申请人 | 该专利没有被任何外部专利所引用! |