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一种用于光学材料微弱吸收测量的设备及方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200410084794.0
  • IPC分类号:G01N21/59;G06F19/00
  • 申请日期:
    2004-12-01
  • 申请人:
    中国科学院上海技术物理研究所
著录项信息
专利名称一种用于光学材料微弱吸收测量的设备及方法
申请号CN200410084794.0申请日期2004-12-01
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2005-05-18公开/公告号CN1616948
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N21/59IPC分类号G;0;1;N;2;1;/;5;9;;;G;0;6;F;1;9;/;0;0查看分类表>
申请人中国科学院上海技术物理研究所申请人地址
上海市玉田路500号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海技术物理研究所当前权利人中国科学院上海技术物理研究所
发明人王少伟;陆卫;陈平平;李宁;张波;李志锋;陈效双
代理机构上海智信专利代理有限公司代理人郭英
摘要
本发明公开了一种用于光学材料微弱吸收测量的设备及方法,该发明是基于F-P干涉原理进行设计的,即在两片完全相同的窄带通高反膜系之间夹一真空层或空气层作为谐振腔,构成一个品质因子非常高的超窄带通滤光片,利用带通位置处的透过率对谐振腔的吸收特别敏感的特性,只要将待测样品放在谐振腔内,谐振腔内会有微弱吸收,就会引起透过率发生明显的变化,通过透过率的变化及利用商用的膜系设计与计算软件Filmstar绘制的峰值透过率差值(ΔT)随消光系数(κ)变化的标准曲线,就可以推算出待测光学材料的消光系数,进而得出其吸收系数。

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