氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911174467.7
IPC分类号：H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/10
申请日期：
2019-11-26
申请人：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所

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著录项信息

专利名称	氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法
申请号	CN201911174467.7	申请日期	2019-11-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-19	公开/公告号	CN111312852A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;0查看分类表>
申请人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	申请人地址	上海市长宁区长宁路865号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	当前权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人	欧欣;徐文慧;游天桂;沈正皓
代理机构	上海泰能知识产权代理事务所	代理人	宋缨

摘要

本发明提供一种氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法，通过将氧化镓单晶晶片与绝缘体上硅中的顶层硅进行键合，可成功转移氧化镓薄膜，键合技术成熟，且通过将绝缘体上硅中的顶层硅氧化，能够有效解决漏电问题，可制备高质量、防漏电的氧化镓半导体结构，提高基于氧化镓半导体结构制备的器件性能，重要的是将氧化镓薄膜转移到硅衬底上，使得器件不仅能与CMOS工艺兼容，而且可以实现量产，对于基于氧化镓薄膜制备的日盲光电探测器的快速发展意义重大。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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