一种顶发射量子点发光器件、其制备方法及显示装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201910585293.7
IPC分类号：H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
申请日期：
2019-07-01
申请人：
南方科技大学

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专利名称	一种顶发射量子点发光器件、其制备方法及显示装置
申请号	CN201910585293.7	申请日期	2019-07-01
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-10-11	公开/公告号	CN110323348A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;5;1;/;5;2;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6查看分类表>
申请人	南方科技大学	申请人地址	广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南方科技大学	当前权利人	南方科技大学
发明人	孙小卫;王恺;丁时浩;王为高;徐冰
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明提供了一种顶发射量子点发光器件、其制备方法及显示装置。所述顶发射量子点发光器件包括依次层叠设置的反射电极、量子点层、透明电极和分布式布拉格反射镜。所述分布式布拉格反射镜是通过溅射沉积的方法制备得到，且溅射的功率≤100W。所述显示装置包括阵列排布的至少两个上述顶发射量子点发光器件。本发明提供的顶发射量子点发光器件相较于普通的顶发射量子点发光器件，具有更高的量子效率、发光亮度和色纯度；相较于底发射量子点发光器件，具有更大的开口率，出光率更高。

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