一种高反射系数热电分离型LED支架结构

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201520384830.9
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
申请日期：
2015-06-08
申请人：
深圳市中唐光电有限公司

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专利名称	一种高反射系数热电分离型LED支架结构
申请号	CN201520384830.9	申请日期	2015-06-08
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;3;3;/;6;4查看分类表>
申请人	深圳市中唐光电有限公司	申请人地址	广东省深圳市宝安区西乡鹤州工业区中科诺工业园2#厂房5楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市中唐光电有限公司	当前权利人	深圳市中唐光电有限公司
发明人	朱竹峰
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本实用新型公开了一种高反射系数热电分离型LED支架结构，包括支架体，支架体上设置有多个支撑框，支撑框上设置有引脚一和引脚二，塑胶座成型于引脚一上和引脚二上，所述引脚一和所述引脚二的一端显露于所述塑胶座内部，另一端穿过所述塑胶座与所述支撑框相连接；所述支撑框上还设置有引脚三，所述引脚三设有冲压形成的凹槽，所述凹槽显露于塑胶座内部，荧光粉填充于所述凹槽内部；所述塑胶座上加设有一次光学透镜，所述透镜与塑胶座内部间的空隙填充胶体，本实用新型结构将散热部分和接电部分分开，提高产品寿命，还能节约荧光粉的用量，利用金属特性实现高散热性及强反射性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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