一种半导体激光器巴条及其制造方法、电子设备

发明专利有效专利

申请号：
CN202110258561.1
IPC分类号：H01S5/40
申请日期：
2021-03-09
申请人：
深圳瑞波光电子有限公司

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著录项信息

专利名称	一种半导体激光器巴条及其制造方法、电子设备
申请号	CN202110258561.1	申请日期	2021-03-09
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-20	公开/公告号	CN113140966A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/40 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/40 在H01S 5/02至H01S 5/30各组中不包含的两个或两个以上半导体激光器装置（H01S 5/50优先）〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;4;0查看分类表>
申请人	深圳瑞波光电子有限公司	申请人地址	广东省深圳市南山区西丽镇茶光路1089号深圳集成电路设计应用产业园404 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳瑞波光电子有限公司	当前权利人	深圳瑞波光电子有限公司
发明人	胡海;邱于珍
代理机构	深圳市威世博知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	黎坚怡

摘要

本申请公开了半导体激光器巴条及其制造方法、电子设备。该半导体激光器巴条包括：衬底，第一绝缘层、多个半导体激光器单元和连接层。第一绝缘层，设置于衬底上；多个半导体激光器单元设置于第一绝缘层远离衬底的表面上，每个半导体激光器单元设有第一电极和第二电极；连接层设置于相邻的两个半导体激光器单元之间，用于连接半导体激光器单元的第一电极和另一半导体激光器单元的第二电极，或者用于连接半导体激光器单元的第二电极和另一半导体激光器单元的第一电极。因此，本申请提供的半导体激光器巴条的多个半导体激光器单元相互之间通过连接层串联设置，以使半导体激光器巴条的功率易于得到控制，保持光功率的一致性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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