改善晶圆上结构的可印制性的相移光掩模及方法

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专利名称	改善晶圆上结构的可印制性的相移光掩模及方法
申请号	CN200480040252.1	申请日期	2004-11-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2007-01-24	公开/公告号	CN1902468
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01F9/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01F 容积、流量、质量流量或液位的测量；按容积进行测量〔2，5〕 G01F9/00 测量相对于另一变量的流量，例如，发动机用的液体燃料的流量	IPC分类号	G;0;1;F;9;/;0;0;;;G;0;3;F;9;/;0;0;;;G;0;3;C;5;/;0;0查看分类表>
申请人	凸版光掩公司	申请人地址	美国德克萨斯州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	凸版光掩公司	当前权利人	凸版光掩公司
发明人	K·纳卡加瓦
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	杨凯;梁永

摘要

公开了一种用于改善晶圆上结构的可印制性的相移光掩模和方法。该方法包括提供一种包括形成于基片上表面的0度PSW与形成于上述基片的第一区域内的180度PSW的光掩模。在上述0度PSW和180度PSW之间的第二区域内形成正交PSW，该PSW可便于在光刻工序中通过所述第二区域投射强度增加的辐射能量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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