一种肖特基二极管

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202120078204.2
IPC分类号：H01L23/367;H01L23/467;H01L23/48;H01L29/872
申请日期：
2021-01-12
申请人：
苏州高新区华成电子有限公司

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著录项信息

专利名称	一种肖特基二极管
申请号	CN202120078204.2	申请日期	2021-01-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/367 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/34 冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置〔2，5〕 H01L23/36 为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器〔2〕 H01L23/367 为便于冷却的器件造型〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;4;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;9;/;8;7;2查看分类表>
申请人	苏州高新区华成电子有限公司	申请人地址	江苏省苏州市高新区通安镇金市村变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州高新区华成电子有限公司	当前权利人	苏州高新区华成电子有限公司
发明人	叶惠东;叶桢琪
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本申请涉及二极管的技术领域，尤其涉及一种肖特基二极管，本体的底端设置有引脚，本体的横截面呈D形，本体的弧形面上设置有散热板，散热板的横截面呈波浪形设置，散热板与本体之间形成有槽道。通过在本体外侧设置散热板，便于提高肖特基二极管的散热效果，尤其是散热板的横截面呈波浪形设置，便于散热板内侧的热量向外散发，并有利于散热板外侧冷空气流入散热板内侧，使得整个散热板周围气流流动更加均匀，更好带走本体传递的热量，从而提高肖特基二极管的散热效果。

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