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分子束增强GCIB处理

发明专利有效专利

申请号：
CN201480073422.X
IPC分类号：H01J37/317
申请日期：
2014-11-21
申请人：
TEL艾派恩有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	分子束增强GCIB处理
申请号	CN201480073422.X	申请日期	2014-11-21
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2016-08-31	公开/公告号	CN105917438A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/317 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/30 物体局部处理用的电子束管或离子束管 H01J37/317 用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入（H01J 37/36优先）〔3〕	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;1;7查看分类表>
申请人	TEL艾派恩有限公司	申请人地址	美国马萨诸塞州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	TEL艾派恩有限公司	当前权利人	TEL艾派恩有限公司
发明人	马修·C·格温
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	康建峰;李春晖

摘要

描述了一种用于执行各种材料的气体团簇离子束(GCIB)蚀刻处理的方法和系统。特别地，该GCIB蚀刻处理包括使用一种或更多种分子束来优化离子束的局部区域处的压力。

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