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晶片冷却方法和晶片冷却设备

发明专利有效专利

申请号：
CN201610616766.1
IPC分类号：H01L23/367;H01L23/467
申请日期：
2016-07-29
申请人：
北京北方华创微电子装备有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	晶片冷却方法和晶片冷却设备
申请号	CN201610616766.1	申请日期	2016-07-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-02-06	公开/公告号	CN107665868A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/367 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/34 冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置〔2，5〕 H01L23/36 为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器〔2〕 H01L23/367 为便于冷却的器件造型〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;4;6;7查看分类表>
申请人	北京北方华创微电子装备有限公司	申请人地址	北京市大兴区北京经济开发区文昌大道8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京北方华创微电子装备有限公司	当前权利人	北京北方华创微电子装备有限公司
发明人	刘振华;陈国动
代理机构	北京博雅睿泉专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	王昭智;马佑平

摘要

本发明公开了一种晶片冷却方法和晶片冷却设备。该晶片冷却方法用于对完成工艺加工的晶片在冷却区域中进行去气冷却，所述冷却区域中设置有冷却槽，根据参与工艺的指定工艺腔室数量、单片晶片的工艺加工时间以及冷却时间在所述冷却槽中选择用于放置晶片的预定槽，所述预定槽均匀分布在所述冷却区域中。本发明提供的方法解决的一个技术问题是减轻冷却槽被污染的程度。

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