微通道雪崩光电二极管

发明专利无效专利

申请号：
CN200780024920.5
IPC分类号：H01L31/107;H01L31/0352
申请日期：
2007-05-31
申请人：
泽科泰克影像系统新加坡有限公司

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专利名称	微通道雪崩光电二极管
申请号	CN200780024920.5	申请日期	2007-05-31
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-03-17	公开/公告号	CN101675532
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/107 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕 H01L31/102 仅以一个势垒或面垒为特征的〔5〕 H01L31/107 以雪崩模式工作的势垒，如雪崩光二极管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;7;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2查看分类表>
申请人	泽科泰克影像系统新加坡有限公司	申请人地址	新加坡新加坡变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	泽科泰克影像系统新加坡有限公司	当前权利人	泽科泰克影像系统新加坡有限公司
发明人	齐拉丁·Y·萨迪戈夫
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	屈玉华

摘要

本发明的微通道雪崩光电二极管涉及半导体光敏器件，也就是具有内部信号放大的半导体雪崩光电二极管。所述微通道雪崩光电二极管可以用于在医学伽马层析x射线照相装置中记录超微弱的光脉冲直到单个光子、伽马量子和带电粒子，还用于辐射检测和原子物理实验。本发明的器件特征在于，雪崩光电二极管包括衬底和具有不同的电物理性能的半导体层，该半导体层在其间以及与衬底之间具有公共的界面，该雪崩光电二极管还设置有单独的固态区域的至少一个二维矩阵，该单独的固态区域形成在该二维矩阵中并实施为用于形成电势微深度的高导电的岛的形式。为了减小体积内产生电流并改善沿器件表面的电势分布的均匀性，固态区域位于两个额外的半导体层之间，该两个额外的半导体层相对于与它们具有公共界面的半导体层表现出高的电导率。所述发明使得可以在器件体内获得此电势分布形式，其允许光电子在单独的固态区域上收集。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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