发光二极管封装件、照明装置和制造该封装件的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110105659.X
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/50;H01L33/54
申请日期：
2011-04-15
申请人：
三星LED株式会社

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著录项信息

专利名称	发光二极管封装件、照明装置和制造该封装件的方法
申请号	CN201110105659.X	申请日期	2011-04-15
法律状态	撤回	申报国家	暂无
公开/公告日	2011-10-19	公开/公告号	CN102222757A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;5;0;;;H;0;1;L;3;3;/;5;4查看分类表>
申请人	三星LED株式会社	申请人地址	韩国京畿道水原市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	金奎相;金镇夏;郑宰有;朴武允;全忠培
代理机构	北京铭硕知识产权代理有限公司	代理人	韩明星;刘灿强

摘要

公开了一种发光二极管(LED)封装件、一种包括该LED封装件的照明装置和一种用于制造LED封装件的方法。所述LED封装件包括：封装基底；LED芯片，安装在所述封装基底上；波长转换层，当从上面观看LED芯片时由所述LED芯片形成的表面被定义为所述LED芯片的上表面时，所述波长转换层被形成为覆盖所述LED芯片的所述上表面的至少一部分，其中，所述波长转换层被形成为没有超出所述LED芯片的所述上表面的区域，并包括与所述LED芯片的所述上表面平行的平坦表面和连接所述LED芯片的所述上表面的边缘的弯曲表面。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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