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具有P型变掺杂基区的碳化硅基DSRD器件及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010713459.1
  • IPC分类号:H01L29/868H01L21/329H01L29/06H01L29/16
  • 申请日期:
    2020-07-22
  • 申请人:
    西安电子科技大学
著录项信息
专利名称具有P型变掺杂基区的碳化硅基DSRD器件及其制备方法
申请号CN202010713459.1申请日期2020-07-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-12-04公开/公告号CN112038412A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/868
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IPC结构图谱:
IPC分类号H01L29/868;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/16查看分类表>
申请人西安电子科技大学申请人地址
陕西省西安市雁塔区太白南*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安电子科技大学当前权利人西安电子科技大学
发明人汤晓燕;周瑜;宋庆文;袁昊;何艳静;张玉明
代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)代理人李园园
摘要
本发明公开了一种具有P型变掺杂基区的碳化硅基DSRD器件及其制备方法,所述器件包括衬底、N+缓冲区、P‑基区、P+缓冲区、P+区、SiO2钝化层、阴极和阳极,其中,衬底、N+缓冲区、P‑基区、P+缓冲区和P+区自下而上依次设置;SiO2钝化层覆盖在P‑基区、P+缓冲区和P+区的外周,且SiO2钝化层的上端覆盖P‑基区上表面的一部分,SiO2钝化层的下端覆盖N+缓冲区上表面未被P‑基区覆盖的区域;阴极设置在衬底的下表面;阳极设置在P+区的上表面未被SiO2钝化层覆盖的区域,且阳极与SiO2钝化层接触。该器件能够缩短碳化硅基DSRD的脉冲前沿,降低器件功耗,降低工艺复杂度,提升器件可靠性。

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