一种钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510272038.9
IPC分类号：C30B29/24;C30B25/02
申请日期：
2015-05-25
申请人：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所

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专利名称	一种钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料的制备方法
申请号	CN201510272038.9	申请日期	2015-05-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-09-30	公开/公告号	CN104947192A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/24 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/16 氧化物〔3〕 C30B29/22 复合氧化物〔3〕 C30B29/24 分子式为AMeO3的，其中A为稀土金属，Me为Fe、Ga、Sc、Cr、Co或Al，例如正铁氧体〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;2;4;;;C;3;0;B;2;5;/;0;2查看分类表>
申请人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	申请人地址	上海市长宁区长宁路865号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	当前权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人	刘正太;沈大伟;李明颖;杨海峰;姚岐;刘吉山;樊聪聪
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	余明伟

摘要

本发明提供一种钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料的制备方法，包括如下步骤：S1：提供一钙钛矿型衬底；S2：对所述衬底进行清洗处理；S3：对所述衬底进行退火处理；S4：在氧化物分子束外延系统中采用Ir单质靶蒸发源、Sr单质靶蒸发源及氧源，在所述衬底表面外延生长钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料。本发明利用氧化物分子束外延技术，通过超高真空设备硬件、单质蒸发源的选择、稳定的蒸发源束流控制、衬底的选取、衬底的处理、薄膜合成参数的稳定控制，制备得到高质量的钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料。该单晶薄膜相比体材料拥有很大的优势，具有稳定态的钙钛矿型结构，外延薄膜表面是天然的平整解理面，有利于实现电子结构的测试，样品表面的高洁净度使测试更加顺利进行。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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