一种提高半导体激光器可靠性的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510047404.0
IPC分类号：H01S5/34
申请日期：
2015-01-29
申请人：
山东华光光电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种提高半导体激光器可靠性的制备方法
申请号	CN201510047404.0	申请日期	2015-01-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-10-05	公开/公告号	CN105990790A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/34 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/30 激活区的结构或形状；用于激活区的材料〔7〕 H01S5/34 含有量子阱的或超晶格结构的，例如单量子阱激光器〔SQW-激光器〕、多量子阱激光器〔MQW-激光器〕，缓变折射率（光电）分别限制异质结构激光器〔GRINSCH-激光器〕（H01S5/36优先）〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;3;4查看分类表>
申请人	山东华光光电子股份有限公司	申请人地址	山东省济南市高新区天辰大街1835号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	山东华光光电子股份有限公司	当前权利人	山东华光光电子股份有限公司
发明人	刘欢;沈燕;徐现刚
代理机构	济南金迪知识产权代理有限公司	代理人	吕利敏

摘要

一种提高半导体激光器可靠性的制备方法，采用一次刻蚀同时去除半导体激光器脊形台面以外的欧姆接触层，并引入非注入区窗口结构。本发明基于P电极与芯片外延层的肖特基接触原理，通过一次刻蚀工艺同时去除脊形台面以外的欧姆接触层和去除腔面处的欧姆接触层引入非注入区窗口结构，形成肖特基接触层，达到防止激光器中双沟区两侧漏电、提器件可靠性以及提高COD阈值的目的。本发明只采用一次光刻工艺，制备工艺简单，适用范围广泛且兼容性强，可以与其它特殊工艺相结合，以进一步提高半导体激光器的性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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