母基板、母基板的制造方法以及器件基板

发明专利无效专利

申请号：
CN200980127466.5
IPC分类号：H01L21/20;H01L21/02;H01L21/336;H01L29/786
申请日期：
2009-06-09
申请人：
夏普株式会社

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著录项信息

专利名称	母基板、母基板的制造方法以及器件基板
申请号	CN200980127466.5	申请日期	2009-06-09
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-06-08	公开/公告号	CN102089862A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/20 半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分类表>
申请人	夏普株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	夏普株式会社	当前权利人	夏普株式会社
发明人	藤川阳介
代理机构	北京市隆安律师事务所	代理人	权鲜枝

摘要

本发明提供在母基板上高效率地配置面板基板并且能够降低废弃基板区域的母基板、母基板的制造方法以及包括在母基板上形成的面板基板的器件基板。本发明的母基板具备多个面板基板，上述母基板具备在主面形成的硅薄膜，上述面板基板分别具备晶体管形成区域和端部区域，上述晶体管形成区域是由上述硅薄膜经多晶化而成的，上述端部区域设置在各面板基板的外缘，至少一个面板在上述端部区域具有包括具有与上述晶体管形成区域中的硅薄膜的结晶状况不同的结晶状况的硅薄膜的区域。

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