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栅极偏置电路及功率放大器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910353348.1
  • IPC分类号:H03F1/32;H03F3/21
  • 申请日期:
    2019-04-29
  • 申请人:
    中国电子科技集团公司第十三研究所
著录项信息
专利名称栅极偏置电路及功率放大器
申请号CN201910353348.1申请日期2019-04-29
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-08-09公开/公告号CN110113015A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H03F1/32IPC分类号H;0;3;F;1;/;3;2;;;H;0;3;F;3;/;2;1查看分类表>
申请人中国电子科技集团公司第十三研究所申请人地址
河北省石家庄市合作路113号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国电子科技集团公司第十三研究所当前权利人中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人邬佳晟;蔡道民;董毅敏;高学邦
代理机构石家庄国为知识产权事务所代理人秦敏华
摘要
本发明适用于放大器技术领域,提供了一种栅极偏置电路及功率放大器,所述栅极偏置电路,包括:第一偏置电阻,所述第一偏置电阻的第一端用于连接外部直流电源;微带线,所述微带线的第一端与所述第一偏置电阻的第二端连接;第二偏置电阻,所述第二偏置电阻的第一端与所述微带线的第二端连接,所述第二偏置电阻的第二端用于通过所述功率放大器的匹配电路连接所述功率放大器的场效应晶体管的栅极。本发明提供的栅极偏置电路,应用于功率放大器,能够提高功率放大器的线性度。

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