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一种新型二极管封装结构

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201921856721.7
  • IPC分类号:H01L23/488;H01L23/31;H01L29/861
  • 申请日期:
    2019-10-31
  • 申请人:
    常州银河世纪微电子股份有限公司
著录项信息
专利名称一种新型二极管封装结构
申请号CN201921856721.7申请日期2019-10-31
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/488IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;9;/;8;6;1查看分类表>
申请人常州银河世纪微电子股份有限公司申请人地址
江苏省常州市新北区长江北路19号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人常州银河世纪微电子股份有限公司当前权利人常州银河世纪微电子股份有限公司
发明人陶涛
代理机构常州市科谊专利代理事务所代理人言倩玉
摘要
本实用新型公开了一种新型二极管封装结构,包括芯片、适于与所述芯片的阴极面焊接相连的第一载片台,以及适于与所述芯片的阳极面焊接相连的第二载片台;其中所述第一载片台朝向芯片的端面一体成型有第一凸台;以及所述第一凸台朝向芯片的端面凹设有容纳槽。本实用新型二极管封装结构可以提高二极管封装后性能的稳定性。

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