一种具有热电臂结构的热薄膜器件及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011492651.9
IPC分类号：H01L35/34;H01L35/32;H01L35/08;H01L35/16;H01L35/18
申请日期：
2020-12-17
申请人：
华中科技大学

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著录项信息

专利名称	一种具有热电臂结构的热薄膜器件及其制备方法
申请号	CN202011492651.9	申请日期	2020-12-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-06	公开/公告号	CN112614932A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L35/34 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L35/00 包含有一个不同材料结点的热电器件，即显示出具有或不具有其他热电效应或其他热磁效应的Seebeck效应或Peltier 效应的热电器件；专门适用于制造或处理这些热电器件或其部件的方法或设备；这些热电器件的零部件（由一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L35/34 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;5;/;3;4;;;H;0;1;L;3;5;/;3;2;;;H;0;1;L;3;5;/;0;8;;;H;0;1;L;3;5;/;1;6;;;H;0;1;L;3;5;/;1;8查看分类表>
申请人	华中科技大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华中科技大学	当前权利人	华中科技大学
发明人	申利梅;陈艺欣;谢军龙;蒋勇;李美勇
代理机构	华中科技大学专利中心	代理人	孔娜;李智

摘要

本发明属于薄膜热电器件相关技术领域，其公开了一种具有热电臂结构的热薄膜器件及其制备方法，所述方法包括以下步骤(1)制作多个镂空的掩膜；(2)采用掩膜在衬底上沉积制备底部电极，并在所述底部电极的间隙处沉积绝缘层；(3)采用掩膜在所述底部电极及所述绝缘层上沉积P型热电臂并在所述P型热电臂上沉积P型扩散阻挡层；采用掩膜在所述底部电极及所述绝缘层上沉积N型热电臂并在所述N型热电臂上沉积N型扩散阻挡层；所述P型热热电臂及所述N型热电臂的边缘直接相连接；(4)在所述P型扩散阻挡层及所述N型扩散阻挡层上沉积制备顶部电极，由此完成制备。本发明简化了工艺，提高了成品率，且降低了成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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