半导体元件结构

发明专利有效专利

申请号：
CN202110076018.X
IPC分类号：H01L23/528;H01L21/768
申请日期：
2021-01-20
申请人：
南亚科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体元件结构
申请号	CN202110076018.X	申请日期	2021-01-20
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-08-13	公开/公告号	CN113257784A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/528 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕 H01L23/528 互连结构的布置〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	南亚科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾新北市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南亚科技股份有限公司	当前权利人	南亚科技股份有限公司
发明人	施信益
代理机构	隆天知识产权代理有限公司	代理人	聂慧荃;闫华

摘要

本公开提供一种半导体元件结构。该半导体元件结构具有一第一导电结构与一第二导电结构、一第一导电栓塞与一第二导电栓塞、一第一间隙子、一蚀刻终止层以及一第一层间介电层，该第一导电结构与该第二导电结构设置在一半导体基底上的不同垂直高度处，该第一导电栓塞与该第二导电栓塞对应设置在该第一导电结构与该第二导电结构上，该第一间隙子设置在该第一导电栓塞的一侧壁表面上，该蚀刻终止层设置在该半导体基底上，其中该蚀刻终止层邻接该第一间隙子，该第一层间介电层设置在该蚀刻终止层上，并紧邻该第一导电栓塞，其中该第一层间介电层与该第一间隙子以一气隙而相互间隔设置。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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