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一种槽栅多沟道结构GaN基高电子迁移率晶体管及制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110731752.5
  • IPC分类号:H01L29/778;H01L21/335;H01L29/10;H01L29/423
  • 申请日期:
    2021-06-29
  • 申请人:
    西安电子科技大学
著录项信息
专利名称一种槽栅多沟道结构GaN基高电子迁移率晶体管及制作方法
申请号CN202110731752.5申请日期2021-06-29
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-11-12公开/公告号CN113644128A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/778
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人西安电子科技大学申请人地址
陕西省西安市雁塔区太白南路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安电子科技大学当前权利人西安电子科技大学
发明人王冲;邓松;马晓华;郑雪峰;何云龙;郝跃
代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)代理人刘长春
摘要
本发明涉及一种槽栅多沟道结构GaN基高电子迁移率晶体管及制作方法,高电子迁移率晶体管包括:衬底、至少四层异质结结构、源电极、漏电极、中间层和栅电极,至少四层异质结结构依次层叠在衬底上,且至少四层异质结结构中开设有栅槽,栅槽将至少四层异质结结构形成的二维电子气隔断;源电极嵌入至少四层异质结结构的一端;漏电极嵌入至少四层异质结结构的另一端;中间层位于栅槽中以及至少四层异质结结构的表面上,一端与源电极接触,另一端与漏电极接触,中间层与至少四层异质结结构之间形成二维电子气;栅电极位于栅槽中且位于中间层上。该高电子迁移率晶体管在阈值电压和跨导不严重恶化的条件下,实现了更大的正向电流,得到了更小的导通电阻。

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