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改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法及材料

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811137925.5
  • IPC分类号:H01L21/285
  • 申请日期:
    2018-09-28
  • 申请人:
    中科芯电半导体科技(北京)有限公司
著录项信息
专利名称改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法及材料
申请号CN201811137925.5申请日期2018-09-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-01-25公开/公告号CN109273357A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/285IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8;5查看分类表>
申请人中科芯电半导体科技(北京)有限公司申请人地址
北京市大兴区西红门镇金盛大街2号院23号楼二层(中科芯电) 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中科芯电半导体科技(北京)有限公司当前权利人中科芯电半导体科技(北京)有限公司
发明人张杨;李弋洋
代理机构北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙)代理人张素红
摘要
本发明公开了改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法及表面生长Ga金属的低掺杂浓度材料,改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法,包括以下步骤:(1)在低掺杂浓度材料表面上外延生长镓金属,镓金属覆盖在低掺杂浓度材料表面上呈圆形薄膜层;(2)将表面生长镓金属的低掺杂浓度材料在氮气气氛下进行退火,使镓金属与低掺杂浓度材料形成欧姆接触。表面生长Ga金属的低掺杂浓度材料,所述低掺杂浓度材料的表面上覆盖呈直径为0.6‑1.5mm的圆形Ga金属薄膜层,所述低掺杂浓度材料上有6‑15μm厚的Ga金属。所述低掺杂浓度材料为III‑V族化合物半导体材料。

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