电容器及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN99109410.7
IPC分类号：--
申请日期：
1999-06-29
申请人：
三星电子株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	电容器及其制造方法
申请号	CN99109410.7	申请日期	1999-06-29
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2000-01-12	公开/公告号	CN1241023
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	田润树;黄有商;郑泰荣
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	谢丽娜;余朦

摘要

制造有高介电常数介质膜的叠层式电容器的方法,其中存储器节点包括多晶硅层,阻挡金属层和带侧壁间隔层的过渡金属层。阻挡金属层和其侧壁间隔层防止多晶硅氧化。形成多晶硅层达到决定存储器节点高度的厚度。较薄地形成直接连接高介电常数介质膜的过渡金属层,以避免其倾斜腐蚀,因而可防止在各存储器节点与相邻节点之间的电桥。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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