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半导体器件的接触结构及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010363265.3
IPC分类号：H01L23/48;H01L23/535;H01L21/768
申请日期：
2020-04-30
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体器件的接触结构及其形成方法
申请号	CN202010363265.3	申请日期	2020-04-30
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-20	公开/公告号	CN112687642A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;5;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	王朝勋;薛婉容;赵高毅;王美匀;刘如淦
代理机构	北京德恒律治知识产权代理有限公司	代理人	章社杲;李伟

摘要

本文公开了互连结构及其形成方法。示例性互连结构包括位于第一介电层中的第一接触部件、位于第一介电层上方的第二介电层、位于第一接触部件上方的第二接触部件、位于第二介电层和第二接触部件之间的阻挡层以及位于阻挡层和第二接触部件之间的衬垫。第一接触部件和第二接触部件之间的界面包括衬垫，但是没有阻挡层。本发明的实施例还涉及半导体器件的接触结构及其形成方法。

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