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缓变深槽超结MOSFET器件

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201620257827.5
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06
  • 申请日期:
    2016-03-30
  • 申请人:
    无锡同方微电子有限公司
著录项信息
专利名称缓变深槽超结MOSFET器件
申请号CN201620257827.5申请日期2016-03-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人无锡同方微电子有限公司申请人地址
江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人无锡同方微电子有限公司当前权利人无锡同方微电子有限公司
发明人白玉明;钱振华;张海涛
代理机构无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)代理人曹祖良;屠志力
摘要
本实用新型提供一种缓变深槽超结MOSFET器件,包括至少一个元胞,所述元胞包括N+型衬底,N+型衬底背面淀积漏极金属形成MOSFET器件的漏极;N+型衬底上生长有N?型外延层;所述N?型外延层为缓变N?型外延层,电阻率自上而下逐渐缓变增大;在元胞的N?型外延层两侧顶部形成有P型体区;在元胞的N?型外延层两侧自P型体区向下形成有P型柱深槽结构;N?型外延层的顶部生长有栅氧层,在栅氧层上淀积多晶硅形成MOSFET器件的栅极;在P型体区内形成有N+型源区和用于接触的P+型接触区。P型柱深槽结构的宽度自上而下逐渐变窄,但掺杂均匀,形成缓变的P型柱深槽结构。本实用新型的结构可降低工艺难度,更容易实现电荷平衡,提高器件耐压。

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