一种MEMS电容薄膜真空规

发明专利无效专利

申请号：
CN201811565352.6
IPC分类号：G01L21/00
申请日期：
2018-12-20
申请人：
兰州空间技术物理研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种MEMS电容薄膜真空规
申请号	CN201811565352.6	申请日期	2018-12-20
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2019-04-16	公开/公告号	CN109632181A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01L21/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01L 测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力（称量入G01G）〔4〕 G01L21/00 真空计	IPC分类号	G;0;1;L;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人	兰州空间技术物理研究所	申请人地址	甘肃省兰州市城关区渭源路97号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	兰州空间技术物理研究所	当前权利人	兰州空间技术物理研究所
发明人	李得天;成永军;韩晓东;孙雯君;李刚;袁征难;孙健;高洁
代理机构	北京理工大学专利中心	代理人	李爱英;郭德忠

摘要

本发明提供了一种MEMS电容薄膜真空规，能够实现1～1000Pa范围真空度的测量，测量分辨率为0.5Pa。感压薄膜为具有岛状结构膜的圆形薄膜。圆形薄膜在径向应力以及应变非常均匀，在相同压力下，圆膜的挠度比方膜更大，从而使得感压薄膜的灵敏度更高。而岛状结构膜可以增大薄膜的刚度，进而降低感压薄膜的挠度，增大基础电容，有利于提高分辨率同时，使得压力‑电容关系的线性度更优。同时，具有岛状结构膜的圆形薄膜为双侧电极差动式敏感电容结构，使得感压薄膜因压力产生形变时，敏感电容输出变化量相等、方向相反的两个电容量，再通过后续差分测量电路构成双差分结构，从而提高共模抑制比，消除寄生电容以及温度等因素对测量结果的影响，提高测量的分辨率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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