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NiO基稀磁半导体纳米纤维及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310254373.7
  • IPC分类号:D01F9/08;D01F9/10;D01D5/00
  • 申请日期:
    2013-06-24
  • 申请人:
    清华大学
著录项信息
专利名称NiO基稀磁半导体纳米纤维及其制备方法
申请号CN201310254373.7申请日期2013-06-24
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-09-18公开/公告号CN103305964A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号D01F9/08IPC分类号D;0;1;F;9;/;0;8;;;D;0;1;F;9;/;1;0;;;D;0;1;D;5;/;0;0查看分类表>
申请人清华大学申请人地址
北京市海淀区-82信箱 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人清华大学当前权利人清华大学
发明人林元华;罗屹东;张玉骏;南策
代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)代理人李志东
摘要
本发明提出了NiO基稀磁半导体纳米纤维及其制备方法,NiO基稀磁半导体纳米纤维掺杂有铁和锂。制备NiO基稀磁半导体纳米纤维的方法包括:配制前驱体溶液,利用前驱体溶液进行静电纺丝,以便得到原丝;以及将原丝进行烧结处理,以便得到NiO基稀磁半导体纳米纤维;其中,前驱体溶液为包含镍元素、铁元素、锂元素和聚乙烯吡咯烷酮的有机溶液。利用该方法可以制备得到一维结构的NiO基稀磁半导体纳米纤维,并且通过掺入铁元素和锂元素可以提高该纳米纤维的室温磁性。

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