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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

改良的沟槽内轮廓

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201280051888.0
  • IPC分类号:H01L21/762;H01L21/31;H01L21/205
  • 申请日期:
    2012-09-26
  • 申请人:
    应用材料公司
著录项信息
专利名称改良的沟槽内轮廓
申请号CN201280051888.0申请日期2012-09-26
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2014-07-02公开/公告号CN103907182A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;5查看分类表>
申请人应用材料公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人应用材料公司当前权利人应用材料公司
发明人K·萨普瑞;N·K·英格尔;J·唐
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人黄嵩泉
摘要
在此描述一种在半导体基板中蚀刻凹部的方法。该方法可包含:在基板的沟槽中形成介电衬垫层,其中该衬垫层具有第一密度。该方法也可包含:至少部分位在该沟槽中于该衬垫层上沉积第二介电层。该第二介电层在沉积后最初为可流动,并且有第二密度,该第二密度低于该衬垫的第一密度。该方法可进一步包括:将该基板暴露至干式蚀刻剂,其中该蚀刻剂移除该第一衬垫层与该第二介电层的一部分而形成凹部,其中该干式蚀刻剂包括含氟化合物与分子氢,且其中移除该第一介电衬垫层与移除该第二介电层的蚀刻速率比为约1:1.2至约1:1。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供