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浅沟槽隔离及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210307008.3
  • IPC分类号:H01L21/762
  • 申请日期:
    2012-08-24
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称浅沟槽隔离及其制造方法
申请号CN201210307008.3申请日期2012-08-24
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-03-12公开/公告号CN103633009A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3# 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所当前权利人中国科学院微电子研究所
发明人钟汇才;梁擎擎;罗军;赵超
代理机构北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)代理人陈红
摘要
本发明公开了一种STI结构,包括衬底以及衬底中的隔离氧化物,其特征在于:在100K温度下,隔离氧化物的线性体积膨胀系数的绝对值大于10‑4/K。依照本发明的STI结构及其制造方法,采用100K的温度下线性体积膨胀系数的绝对值大于10‑4/K的隔离氧化物来填充STI,大幅度提高了STI的应力,并且避免了STI内电荷聚集,提高了器件的电学性能以及可靠性。

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