一种耐高冲击混合电路组装方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202211205252.9
IPC分类号：H01L21/50;H01L21/60;H01L21/52;H01L21/58
申请日期：
2022-09-30
申请人：
华东光电集成器件研究所

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著录项信息

专利名称	一种耐高冲击混合电路组装方法
申请号	CN202211205252.9	申请日期	2022-09-30
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2022-11-18	公开/公告号	CN115360103A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;1;/;5;2;;;H;0;1;L;2;1;/;5;8查看分类表>
申请人	华东光电集成器件研究所	申请人地址	安徽省蚌埠市汤和路2016号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华东光电集成器件研究所	当前权利人	华东光电集成器件研究所
发明人	侯育增;夏俊生;魏刚剑;王然;傅玉豪
代理机构	安徽省蚌埠博源专利商标事务所（普通合伙）	代理人	杨晋弘

摘要

本发明公开一种耐高冲击混合电路组装方法，该电路包括固定有基板的外壳，基板表面设有的凹槽内连接片式电子元器件，片式电子元器件表面与基板表面共面，基板、片式电子元器件表面的键合区通过键合线电性互连；组装方法包括以下步骤根据电路设计在基板上开设凹槽，凹槽开口尺寸略大于片式电子元器件外轮廓；将基板粘贴在外壳的底座上；片式电子元器件粘贴在凹槽内，使片式电子元器件表面与基板表面共面；将基板、片式电子元器件表面的键合区进行键合线互连操作，形成耐高冲击混合电路。本发明降低键合的键合线长度，相对提高键合线的抗侧倒、侧偏的能力，同时加强片式电子元器件与基板的连接牢固性，总体提高混合电路的耐高冲击性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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