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一种用于集成电路芯片ESD保护的低压SCR结构

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010289473.X
  • IPC分类号:H01L27/02;H02H9/00
  • 申请日期:
    2010-09-21
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称一种用于集成电路芯片ESD保护的低压SCR结构
申请号CN201010289473.X申请日期2010-09-21
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日2011-04-27公开/公告号CN102034811A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/02IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;2;H;9;/;0;0查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人蒋苓利;樊航;张波;刘娟;喻钊
代理机构电子科技大学专利中心代理人葛启函
摘要
一种用于集成电路芯片ESD保护的低压SCR结构,属于电子技术领域。包括两类低压SCRESD保护器件,第一类器件集成了2个N阱二极管和2个NMOS,其中N阱二极管连接于I/O和VDD之间,NMOS连接于VDD和VSS之间,且N阱二极管和NMOS组成SCR结构,提供PS、PD模式和VDD-VSS之间的ESD防护。第二类器件集成了2个P阱二极管和2个PMOS,其中P阱二极管连接于I/O和VSS之间,PMOS连接于VSS和VDD之间,且P阱二极管和PMOS共同组成SCR结构,提供ND、NS模式和VDD-VSS之间的ESD防护。本发明在芯片正常工作时具有较高的维持电压,抗闩锁效应,而在发生ESD时的触发电压较低,触发速度较快;在提供多种模式的ESD保护功能和优异的ESD保护性能的同时,还能够有效降低保护器件所占用芯片的相对面积和减少寄生电容。

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