防止氮化物内存单元被充电的制造方法及其装置

发明专利无效专利

申请号：
CN01123721.X
IPC分类号：H01L21/8246;H01L21/314;H01L27/112;H01L29/78
申请日期：
2001-07-26
申请人：
旺宏电子股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	防止氮化物内存单元被充电的制造方法及其装置
申请号	CN01123721.X	申请日期	2001-07-26
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2003-03-05	公开/公告号	CN1400655
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/8246 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/77 在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）〔6，2006.01，2017.01〕 H01L21/78 把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L 21/304）〔2，6〕 H01L21/82 制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路〔2〕 H01L21/822 衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L 21/8258优先）〔6〕 H01L21/8232 场效应工艺〔6〕 H01L21/8234 MIS工艺〔6〕 H01L21/8239 存储器结构〔6〕 H01L21/8246 只读存储器结构（ROM）〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;2;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	宋建龙;刘振钦;周立业
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	赵蓉民

摘要

一种防止氮化物只读存储器(Nitride Read Only Memory；NROM)单元被充电的制造方法。本发明的方法在NROM单元的内层介质(Inter-Level Dielectrics；ILD)/内金属介质(Inter-Metal Dielectrics；IMD)中形成保护层，此保护层可防止制造过程中的紫外线(Ultra-VioletLight)或等离子体穿透而进入NROM单元内，并可防止离子迁移率的增加，而导致制造过程的电荷量提高，影响NROM单元的电性稳定度。另外，尚可降低NROM单元的阈值电压(Threshold Voltage)，而扩大阈值电压的范围。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供