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一种ZnO透明导电膜层的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210443951.7
  • IPC分类号:C23C14/08;C23C14/35
  • 申请日期:
    2012-11-08
  • 申请人:
    广州有色金属研究院
著录项信息
专利名称一种ZnO透明导电膜层的制备方法
申请号CN201210443951.7申请日期2012-11-08
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2013-03-13公开/公告号CN102965621A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/08IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;0;8;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5查看分类表>
申请人广州有色金属研究院申请人地址
广东省广州市天河区长兴路363号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人广州有色金属研究院当前权利人广州有色金属研究院
发明人石倩;周克崧;代明江;林松盛;侯惠君;韦春贝;胡芳
代理机构广东世纪专利事务所代理人千知化
摘要
一种ZnO透明导电膜层的制备方法。由以下步骤组成:(1)衬底除油、清洗、烘干后放入真空室中,本底真空度<4.0×10-3Pa,工作温度为室温,气压0.2~0.6Pa,离子源200~400W和偏压200~800V下,用氩离子轰击清洗衬底5~20min;(2)Ga2O3和ZnF2掺杂的ZnO作为靶材,氩气流量50-250sccm,氩气压为0.1~1.0Pa,衬底温度为室温,中频靶功率为2~20W/cm2,沉积时间5~20min,中频磁控溅射沉积Ga-F双掺杂ZnO(GFZO)膜层。本发明所沉积的GFZO膜层晶粒大小均匀、组织致密,可见光透过率高达90%,电阻率低至6.4×10-4Ω·cm。本发明的方法清洁环保,对人体无害,工艺简单,可以实现大面积工业化生产。

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