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一种功率半导体器件终端结构及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201710496046.0
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L21/04
  • 申请日期:
    2017-06-26
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称一种功率半导体器件终端结构及其制备方法
申请号CN201710496046.0申请日期2017-06-26
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2017-10-20公开/公告号CN107275387A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;0;4查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人任敏;罗蕾;李佳驹;苏志恒;李泽宏;张波
代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)代理人敖欢;葛启函
摘要
本发明提供一种功率半导体器件的终端结构及其制备方法,包括:阴极金属电极、第一导电类型重掺杂半导体衬底、第一导电类型半导体轻掺杂漂移区、场氧化层、第二导电类型半导体主结区、第一导电类型半导体重掺杂截止环;第一导电类型半导体轻掺杂漂移区内部上表面具有沟槽,沟槽中设有填充介质,沟槽下方设有第二导电类型半导体轻掺杂RESURF层;本发明第二导电类型半导体轻掺杂RESURF层与其上方和下方的第一导电类型半导体轻掺杂区相互耗尽,改变了平行于半导体表面方向上的电场分布,使电场呈现为近似矩形的分布,在同等电压条件下减小终端面积,提高芯片面积效率;并且可在挖沟槽后再通过离子注入形成第二导电类型半导体轻掺杂RESURF层,降低了工艺难度。

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