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一种可提高靶材利用率的磁控溅射靶

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200310105218.5
  • IPC分类号:C23C14/35
  • 申请日期:
    2003-11-28
  • 申请人:
    中国科学院金属研究所
著录项信息
专利名称一种可提高靶材利用率的磁控溅射靶
申请号CN200310105218.5申请日期2003-11-28
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2005-06-01公开/公告号CN1621559
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/35IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;3;5查看分类表>
申请人中国科学院金属研究所申请人地址
辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院金属研究所当前权利人中国科学院金属研究所
发明人宫骏;肖金泉;孙超;华伟刚;刘山川;王启民;王铁钢;裴志亮;闻立时
代理机构沈阳科苑专利商标代理有限公司代理人许宗富;周秀梅
摘要
本发明涉及一种可提高靶材利用率的磁控溅射靶。由水冷靶材和可移动的磁体组成平面靶或圆柱靶结构;平面靶结构中磁体通过滚珠轴承与水冷背板安装在一起,电机通过传动盘驱动金属板和固定其上的磁体一起运动;圆柱靶结构中磁体套在不锈钢管上安装在圆柱靶内,置于冷却水中,并通过连接机构与电机相连。本发明采用了移动磁体技术,通过对普通磁控溅射平面靶和圆柱靶磁体的改进,使其磁体在溅射镀膜过程中能够移动,从而使靶材表面的刻蚀区域更宽,刻蚀更均匀,靶材的利用率有明显的提高,同时保留了磁控溅射工艺的优点,而没有影响其工艺性能;本发明还具有结构简单,性能可靠,易操作等特点,可显著提高靶材的利用率,具有广泛的应用领域。

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