晶体管及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201710276861.6
IPC分类号：--
申请日期：
2017-04-25
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	晶体管及其制造方法
申请号	CN201710276861.6	申请日期	2017-04-25
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-12-01	公开/公告号	CN107425048A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	薛婉君;黄进义;曾国隆;杨卓苍
代理机构	北京德恒律治知识产权代理有限公司	代理人	章社杲;李伟

摘要

本发明的实施例提供了具有垂直沟道区的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管。第一半导体区形成在第二半导体区上方，并具有第一掺杂类型。第二半导体区具有不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型。栅电极形成为横向邻近第一半导体区并且沿着第一半导体区的侧边界延伸。第一源极/漏极接触区和第二源极/漏极接触区分别形成在栅电极的相对侧上，并且具有第二掺杂类型。第一源极/漏极接触区还形成在第一半导体区上方。本发明的实施例还提供了晶体管及其制造方法。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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